FIB (Focused Ion Beam) 聚焦離子束技術為芯片研發和芯片制造過程提供了至關重要的輔助支�。它的基本原理是:靜電透鏡聚焦的高能量鎵離�, 經高壓電場加速后撞擊試片表面,在特定氣體協作下產生圖像并移除或沉淀(連接)物質。該技術廣泛應用于掩模修正、電路修改和失效分析。百靈威從美國STREM 公司引進FIB 深層微沉積高純有機金屬源,品種多,包裝全,可滿足客戶的各種需��
� 產品列表
產品編號 | 金屬沉積� | 產品名稱 | 包裝 |
78-1350 | Pt | (三甲基)甲基環戊二烯基�(IV) (Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99% |
2 g 5 g |
98-4024 | Pt | (Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99%, 78-1350, contained in 50 mL Swagelok® cylinder for CVD/ALD |
10 g |
74-2202 | W | 六羰基鎢 Tungsten carbonyl, 99% (99.9+%-W) sublimed |
5 g 25 g |
98-4036 | SiO2 | 3-Aminopropyltriethoxysilane, 98%, 93-1402, contained in 50 mL Swagelok® cylinder for CVD/ALD | 25 g |
79-1600 | Au | 二甲基(三氟乙酰丙酮)金(II) Dimethyl(trifluoroacetylacetonate)gold(III), 98%(99.9%-Au) |
500 mg 2 g |
29-2928 | Cu | 雙(六氟乙酰丙酮)合�(II) Copper(II) hexafluoroacetylacetonate, anhydrous, elec. gr. (99.99+%-Cu) PURATREM |
1 g 5 g |
� 配套刻蝕氣體
產品編號 | 產品名稱 | 包裝 |
54-1500 | 二氟化氙 Xenon(II) fluoride, 99.5% | 2 g 10 g |
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